时间：2025/5/22 13:50:46
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KTA1266-GR-AT/P 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要应用于高频开关电路和功率转换场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效提升系统效率并减少能量损耗。
这款晶体管适用于多种工业和消费类电子设备，例如电源适配器、电机驱动器以及 DC-DC 转换器等。其封装形式通常为 TO-252 或 DPAK，有助于提高散热性能和空间利用率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：38A
导通电阻：1.5mΩ
总栅极电荷：38nC
输入电容：1720pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，从而减小磁性元件尺寸。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 优化的热性能设计，便于高效散热。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代生产工艺需求。
6. 内置 ESD 保护机制，提高了器件在实际应用中的可靠性。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级组件。
3. 充电器和电池管理系统中的负载开关。
4. LED 照明驱动器中的恒流控制元件。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
KTA1266G-AT/P, KTA1266T-AT/P
