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KTA1163GR 发布时间 时间:2025/9/11 9:27:02 查看 阅读:27

KTA1163GR是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用高密度单元设计,提供了优良的导通特性和低导通电阻,适用于高效率的DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。KTA1163GR采用了SOP(Small Outline Package)封装,具有良好的热性能和空间效率,适合在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):20V
  最大连续漏极电流(Id):100mA(在Vgs=10V时)
  导通电阻(Rds(on)):约3.5Ω(在Vgs=10V时)
  最大功耗(Pd):200mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOP-4

特性

KTA1163GR是一款性能稳定的N沟道MOSFET,具有低导通电阻和良好的热稳定性,适用于中低功率的开关控制。其SOP封装形式提供了良好的散热性能,同时保持了小尺寸的优势,适用于高密度PCB布局。
  该器件在设计上优化了开关特性和导通损耗,能够在较高的频率下稳定工作,从而提升系统的整体效率。此外,KTA1163GR具备较强的抗干扰能力,能够适应复杂的电磁环境,确保电路运行的稳定性。
  由于其较低的输入电容和开关损耗,KTA1163GR适用于高速开关应用,如PWM控制、DC-DC转换器和LED驱动电路。同时,其栅极驱动电压范围较宽,支持多种控制电路的兼容性设计,增强了电路设计的灵活性。
  在可靠性方面,KTA1163GR通过了严格的工业级测试标准,具备良好的长期稳定性,适用于工业控制、通信设备、消费电子和车载电子等多个领域。

应用

KTA1163GR常用于电源管理、DC-DC转换器、LED驱动电路、负载开关、电机控制、电池管理系统(BMS)以及各种低功率开关电路中。它也适用于需要高效率和小尺寸设计的便携式电子产品。

替代型号

KTA1162GR、KTA1164GR、2N7002、FDV301N

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