时间：2025/9/11 9:27:02
阅读：36
KTA1163GR是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用高密度单元设计，提供了优良的导通特性和低导通电阻，适用于高效率的DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。KTA1163GR采用了SOP（Small Outline Package）封装，具有良好的热性能和空间效率，适合在紧凑型电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大连续漏极电流（Id）：100mA（在Vgs=10V时）
导通电阻（Rds(on)）：约3.5Ω（在Vgs=10V时）
最大功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOP-4
KTA1163GR是一款性能稳定的N沟道MOSFET，具有低导通电阻和良好的热稳定性，适用于中低功率的开关控制。其SOP封装形式提供了良好的散热性能，同时保持了小尺寸的优势，适用于高密度PCB布局。
该器件在设计上优化了开关特性和导通损耗，能够在较高的频率下稳定工作，从而提升系统的整体效率。此外，KTA1163GR具备较强的抗干扰能力，能够适应复杂的电磁环境，确保电路运行的稳定性。
由于其较低的输入电容和开关损耗，KTA1163GR适用于高速开关应用，如PWM控制、DC-DC转换器和LED驱动电路。同时，其栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路的兼容性设计，增强了电路设计的灵活性。
在可靠性方面，KTA1163GR通过了严格的工业级测试标准，具备良好的长期稳定性，适用于工业控制、通信设备、消费电子和车载电子等多个领域。
KTA1163GR常用于电源管理、DC-DC转换器、LED驱动电路、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及各种低功率开关电路中。它也适用于需要高效率和小尺寸设计的便携式电子产品。
KTA1162GR、KTA1164GR、2N7002、FDV301N
