类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A（@TC=100℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤1.2Ω（@VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：约20nC
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220

KT7N65F的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达到650V，使其适用于中高压功率转换系统。其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行，适用于散热条件有限的应用场景。
　　KT7N65F的栅极驱动特性较为稳定，栅极电荷较低，使得开关速度快，开关损耗小，适用于高频开关应用。同时，其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，便于安装和使用。
　　该MOSFET具备较高的可靠性和较长的使用寿命，在设计上满足工业级和消费类电子产品的多种需求。其封装结构也提供了良好的机械强度和电气绝缘性能，确保在恶劣环境下仍能稳定工作。

KT7N65F广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、电池充电器、逆变器、LED驱动电源以及电机控制电路。由于其高耐压和较低的导通电阻，它也常用于节能照明系统和工业自动化设备中的功率开关部分。
　　在家电领域，KT7N65F可用于变频空调、电磁炉、电热水器等设备中的功率控制模块。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该器件也发挥了重要作用，支持高效的能量转换与管理。
　　由于其良好的高频响应特性，KT7N65F也可用于DC-DC转换器和同步整流电路中，以提高整体系统的效率和稳定性。

7N65, FQP7N65C, IRF740, STP8NM65M5