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KT2016K26000CCW18ZYS 发布时间 时间:2025/7/29 20:15:56 查看 阅读:27

KT2016K26000CCW18ZYS 是一款由韩国公司 KEC(Korea Electronics Corporation)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源管理和功率开关应用而设计,具备低导通电阻、高耐压以及高电流容量等特点。该型号封装为 TO-220F,便于散热和安装,适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id):18A(连续)
  导通电阻(Rds(on)):0.26Ω @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:TO-220F

特性

KT2016K26000CCW18ZYS 具备多项优良特性,使其在功率开关和电源转换应用中表现出色。首先,其漏源电压高达 600V,能够满足大多数高电压应用场景的需求,例如开关电源(SMPS)、逆变器和马达驱动器等。其次,该器件的导通电阻仅为 0.26Ω,确保在导通状态下功率损耗较低,提高了整体系统的效率。
  此外,KT2016K26000CCW18ZYS 支持最大 18A 的连续漏极电流,适用于高功率负载场合。其 ±30V 的栅源电压耐受能力增强了抗干扰能力,避免因栅极电压波动而造成的误操作或损坏。TO-220F 封装不仅便于安装,还具有良好的散热性能,有助于延长器件使用寿命。
  该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适应各种严苛的环境条件,具有较高的稳定性和可靠性。此外,其内部结构设计优化,提高了抗雪崩能力和短路耐受能力,适合用于工业自动化、家电控制、LED 照明驱动等应用场景。

应用

KT2016K26000CCW18ZYS 广泛应用于各类电力电子设备中,尤其适合需要高耐压和大电流开关能力的场景。典型应用包括:开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、马达驱动电路、LED 照明调光与驱动、工业自动化控制电路以及家电中的功率控制模块。此外,由于其良好的热稳定性和抗干扰能力,该器件也适用于车载电子系统和新能源设备,如光伏逆变器和储能系统中的功率开关单元。

替代型号

TK2106K100,TMOSFET TK2106K100,TMOSFET TK2106K

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