时间：2025/9/11 12:41:15
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KST1623L5 是一款由Kexin（科信）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及高电流驱动电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于高效能和紧凑型设计。KST1623L5采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能和可靠性，适合表面贴装应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值）
功耗（PD）：80W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KST1623L5 MOSFET采用了先进的沟槽技术，使其在导通状态下的电阻非常低，从而降低了功率损耗并提高了整体效率。其低RDS(on)值在高电流应用中尤为关键，有助于减少发热并提升系统稳定性。该器件具备高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。此外，KST1623L5具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和电机控制。其TO-252封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该器件还具有良好的抗雪崩能力和过载保护功能，增强了系统的耐用性和可靠性。
KST1623L5 主要应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、LED驱动电路以及工业控制设备。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于需要高效能和高稳定性的设计中。此外，该器件也常用于便携式电子设备、服务器电源、电动车控制器和电源管理模块中。
Si4410BDY-T1-GE3
NVTFS5C471NLWTAG
