KSR253GLFG是一款高性能的功率MOSFET,采用TO-263-3封装形式。该器件专为高效率开关应用设计,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业控制领域。
这款MOSFET采用了先进的制造工艺,能够在高频开关条件下提供卓越的性能表现,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
型号:KSR253GLFG
类型:N-Channel MOSFET
封装:TO-263-3
VDS(漏源电压):60V
RDS(on)(导通电阻,典型值):18mΩ
ID(连续漏极电流):47A
fBS(反向恢复时间):15ns
Qg(栅极电荷):40nC
VGS(th)(栅极阈值电压):2.1V
功耗:150W
KSR253GLFG具有以下显著特性:
1. 超低导通电阻RDS(on),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高电流承载能力,能够满足大功率应用需求。
3. 快速开关速度,适合高频工作环境。
4. 强大的抗浪涌能力,确保在恶劣环境下仍能可靠运行。
5. 封装设计紧凑,便于PCB布局及散热管理。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
这些特点使得KSR253GLFG成为多种电力电子应用的理想选择。
KSR253GLFG适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动和逆变器。
4. 工业控制设备中的功率级开关。
5. 充电器和电池管理系统(BMS)。
6. 各类负载切换和保护电路。
由于其出色的性能,该器件在汽车电子、通信电源以及消费类电子产品中均得到了广泛应用。
KSR253G, IRF250, STP45NF06