KSR2104TF 是一颗由 KEC(韩国电子部件公司)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高频率开关应用,具备良好的热稳定性和导通电阻特性,适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场景。该封装采用 TO-252(DPAK)形式,便于散热并适合表面贴装工艺。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A
功耗(Pd):2.5W
导通电阻(Rds(on)):0.45Ω @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
KSR2104TF 在性能和可靠性方面表现出色,特别是在高频率开关应用中。其低导通电阻 Rds(on) 使得在导通状态下功耗更低,从而提高系统的整体效率。此外,该 MOSFET 具有较高的栅极绝缘强度,能够承受高达 ±20V 的栅源电压,提高了抗干扰能力。在热管理方面,TO-252 封装具备良好的散热性能,确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
KSR2104TF 的开关特性也十分优异,具备快速导通和关断能力,减少了开关过程中的能量损耗,非常适合用于高效率的电源转换电路。此外,其耐压能力高达 100V,能够适应多种中高压应用场景。这种 MOSFET 还具有较强的抗过载能力,在短时过流条件下仍能保持正常工作。
KSR2104TF 适用于多种电源管理和功率控制领域。常见的应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)中的开关元件、电机驱动电路以及各类负载开关控制。此外,该器件也可用于 LED 照明驱动、电源适配器和工业自动化设备中的功率控制模块。由于其良好的热稳定性和高频响应特性,特别适合需要高效率和紧凑设计的电子产品。
Si4442DY, IRFZ44N, FDS4410, AO4410