时间：2025/8/25 4:33:02
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KSR2002TA 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及马达驱动等电子电路中。由于其高效率、快速开关特性和相对较低的成本，KSR2002TA 在工业控制和消费电子领域得到了广泛应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
漏极电流(Id)：6A（最大值）
导通电阻(Rds(on))：0.036Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
功率耗散(Pd)：50W
KSR2002TA 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具备较高的电流承载能力，能够支持高达 6A 的漏极电流，适合用于中高功率应用。
其 TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的热管理性能，还具有较小的封装体积，适用于空间受限的设计场景。KSR2002TA 还具备良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在较为恶劣的环境中稳定工作。
该 MOSFET 具有快速开关特性，能够有效减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。此外，其 ±12V 的栅源电压耐受能力使其适用于多种栅极驱动电路设计，增强了设计的灵活性。
KSR2002TA 主要应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、马达驱动器、负载开关、电源管理模块以及工业自动化控制系统等。在这些应用中，KSR2002TA 能够提供高效的功率控制和稳定的性能表现。
在开关电源和 DC-DC 转换器中，该器件可作为主开关或同步整流器使用，帮助提高转换效率并减少发热。在马达驱动系统中，KSR2002TA 可作为功率开关，实现对马达转速和方向的精确控制。此外，在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于过流保护和充放电控制电路，提高电池使用的安全性和可靠性。
Si2302DS, AO3400, IRF7409, FDS6680
