KSR1104 是由 KEC Corporation 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动以及其他需要高效功率管理的场合。该器件采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的热稳定性和电流承载能力。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):80A(Tc=25℃)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-252(DPAK)
KSR1104 具备低导通电阻(Rds(on))特性,通常在 2.7mΩ 左右(具体数值取决于栅极驱动电压),从而降低了导通损耗,提高了系统效率。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持 4.5V 至 20V 的驱动电压输入,适用于多种驱动器和控制电路。
此外,KSR1104 内部具备良好的热保护性能,能够在高温条件下保持稳定工作,并避免因过热而导致的损坏。
其封装形式(TO-252)便于安装在 PCB 上,并具备良好的散热能力,适合中高功率应用场合。
该 MOSFET具有高耐压能力,可承受高达 60V 的漏源电压,适用于多种电源拓扑结构如同步整流、Buck 和 Boost 转换器等。
KSR1104 主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关、马达控制、LED 驱动电源以及工业自动化控制系统等高功率电子设备中。
由于其具备高电流承载能力和低导通电阻,特别适合用于需要高效能和低损耗的功率转换电路。
在汽车电子领域,KSR1104 也可用于车载电源系统和电动工具驱动电路中,提供稳定的开关性能。
此外,该器件适用于各类同步整流电路,以提升电源转换效率并降低功耗。
IRF1404、STP80NF55、SiS430DN、TK80E60K、UTC1104