KSR1104 时间：2025/8/28 17:18:53 阅读：30

KSR1104 是由 KEC Corporation 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动以及其他需要高效功率管理的场合。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热稳定性和电流承载能力。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KSR1104 具备低导通电阻（Rds(on)）特性，通常在 2.7mΩ 左右（具体数值取决于栅极驱动电压），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的驱动电压输入，适用于多种驱动器和控制电路。
　　此外，KSR1104 内部具备良好的热保护性能，能够在高温条件下保持稳定工作，并避免因过热而导致的损坏。
　　其封装形式（TO-252）便于安装在 PCB 上，并具备良好的散热能力，适合中高功率应用场合。
　　该 MOSFET具有高耐压能力，可承受高达 60V 的漏源电压，适用于多种电源拓扑结构如同步整流、Buck 和 Boost 转换器等。

应用

KSR1104 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、马达控制、LED 驱动电源以及工业自动化控制系统等高功率电子设备中。
　　由于其具备高电流承载能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效能和低损耗的功率转换电路。
　　在汽车电子领域，KSR1104 也可用于车载电源系统和电动工具驱动电路中，提供稳定的开关性能。
　　此外，该器件适用于各类同步整流电路，以提升电源转换效率并降低功耗。