KSR1101 时间：2025/12/28 15:11:43 阅读：16

KSR1101 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。这款器件设计用于高效能和低导通电阻（RDS(on)）操作，适合在高频率开关应用中使用。KSR1101 采用 SOT-23 封装，具有较小的尺寸，适合紧凑型电路设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：200mA
　　导通电阻（RDS(on)）：3.5Ω（最大值，@VGS=4.5V）
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

KSR1101 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在开关应用中能够提供较低的功率损耗，从而提高整体效率。此外，该器件能够在低栅极电压下工作，通常在 2.5V 到 4.5V 之间即可完全导通，适用于由低电压微控制器直接驱动的应用。KSR1101 还具有较高的热稳定性，能够在较高温度下保持稳定的工作状态，这对于长时间运行的设备来说非常重要。
　　另一个显著特点是其封装形式，SOT-23 是一种小型表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计，并且易于自动化生产。这种封装也具有良好的热性能，能够有效散热，从而延长器件寿命。
　　KSR1101 在开关速度方面表现出色，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和 LED 驱动电路。它还具备良好的抗静电（ESD）能力，增强了器件在实际使用中的可靠性。

应用

KSR1101 主要应用于低功耗、便携式电子产品中，例如智能手机、平板电脑、穿戴设备和物联网（IoT）设备。由于其低导通电阻和低工作电压，非常适合用于电池供电系统的电源管理模块，如负载开关、电源路径管理以及电池充放电控制。
　　此外，KSR1101 也可用于 DC-DC 转换器中的同步整流器，以提高转换效率。它还可以作为小型电机驱动器、LED 背光驱动、逻辑电平转换器以及各种传感器接口电路中的开关元件。
　　在工业控制领域，该器件可用于 PLC 输入输出模块、传感器供电控制、小型继电器驱动等场合。其高可靠性和小型封装也使其成为汽车电子系统中辅助电源管理的理想选择。