时间：2025/12/28 15:56:46
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KSM8WBTS 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高电流、高功率应用，具有良好的导通特性和较高的开关速度。KSM8WBTS 常用于 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电源管理系统等场景。该 MOSFET 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（典型值）
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KSM8WBTS 具有低导通电阻的特性，使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。
该器件支持高达 120A 的连续漏极电流，适用于大功率负载驱动和电源转换应用。
KSM8WBTS 的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容多种驱动电路设计，同时具备较强的抗干扰能力。
其 TO-252 封装形式提供了良好的散热性能，适合在紧凑型电路中使用。
此外，该 MOSFET 内部结构优化，具有较快的开关速度，适用于高频开关电源设计。
器件具备良好的热稳定性和过热保护能力，可在高负载条件下保持稳定工作。
KSM8WBTS 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和负载开关等电源管理领域。
在汽车电子系统中，它可用于车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器等应用。
该器件也广泛应用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）和储能系统中。
由于其高电流能力和低导通电阻，KSM8WBTS 在高性能功率转换器和高效率电源模块中也表现出色。
同时，该 MOSFET 还适用于高功率 LED 驱动器和太阳能逆变器等绿色能源系统。
IRF1404、SiS430DN、NVTFS5C471NL、FDMS86101
