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KSH13007-O2 发布时间 时间:2025/12/28 16:16:19 查看 阅读:8

KSH13007-O2是一款高压、高速N型双极晶体管(NPN Bipolar Junction Transistor,BJT),主要应用于高频率开关电路和功率放大电路中。该器件具有优良的热稳定性和高耐压特性,使其在电力电子领域和开关电源中表现出色。KSH13007-O2采用了先进的硅半导体制造工艺,确保了其在恶劣环境下的稳定运行。这款晶体管的封装形式通常为TO-92或类似的塑料封装,以提供良好的散热性能和机械保护。

参数

集电极-发射极电压(Vceo):400V
  集电极-基极电压(Vcbo):700V
  发射极-基极电压(Vebo):9V
  集电极电流(Ic):1.5A
  功耗(Ptot):25W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  电流增益(hFE):80-800(根据工作条件)
  过渡频率(fT):4MHz
  饱和压降(Vce sat):1.5V(最大)

特性

KSH13007-O2晶体管具有多项优异的电气性能和可靠性,适用于各种高电压、高频率的应用场景。其主要特性包括:
  1. 高耐压能力:KSH13007-O2的集电极-基极电压(Vcbo)高达700V,使其能够在高压环境下稳定工作,适用于高电压开关和电源转换设备。
  2. 高速开关性能:该晶体管的过渡频率(fT)达到4MHz,能够在高频环境下实现快速开关,减少开关损耗,提高系统效率。
  3. 优异的电流放大能力:KSH13007-O2的电流增益(hFE)范围为80至800,具有较强的电流放大能力,能够有效驱动大功率负载。
  4. 热稳定性好:该晶体管在高电流工作条件下具有良好的热稳定性,能够避免因温度升高而导致的性能下降或损坏。
  5. 低饱和压降:在导通状态下,KSH13007-O2的饱和压降(Vce sat)较低,减少了功耗并提高了能效。
  6. 封装设计优化:采用标准的TO-92封装,具备良好的散热能力和机械强度,适合在各种电子设备中使用。
  这些特性使KSH13007-O2成为一款适用于多种高压、高频应用的理想晶体管。

应用

KSH13007-O2广泛应用于多种电子设备和系统中,特别是在高压和高频工作环境下。其典型应用包括:
  1. 开关电源(SMPS):由于其高耐压和高速开关特性,KSH13007-O2常用于开关电源的主开关或驱动电路中,以提高电源转换效率。
  2. 逆变器和UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器系统中,该晶体管可用于高频逆变电路,提供稳定的电压输出。
  3. 荧光灯和LED照明驱动电路:KSH13007-O2可用于驱动高频镇流器或LED驱动电路,提高照明系统的效率和可靠性。
  4. 马达控制和驱动电路:在小功率马达控制电路中,该晶体管可用于开关控制和速度调节。
  5. 电子负载和测试设备:由于其良好的电流放大能力和热稳定性,KSH13007-O2可用于电子负载和测试设备中的功率控制电路。
  6. 高频放大器:在某些高频放大器电路中,该晶体管可作为功率放大元件,提供良好的增益和频率响应。
  综上所述,KSH13007-O2是一款性能优异的高压NPN晶体管,适用于多种电力电子和功率控制应用。

替代型号

KSH13007-O2的替代型号包括:KSH13007-O4、KSC2610-Y、KSC1308-Y、2SD1403、2SD1407、MPSA42、BC639、BC635等。在选择替代型号时,需根据具体应用需求对比参数,如最大工作电压、电流放大系数、频率响应和功耗等。

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