KSD2058Y 时间：2025/12/28 16:03:48 阅读：17

KSD2058Y 是一款由韩国KEC公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。这款MOSFET采用TO-220封装，具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点。KSD2058Y适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及各种电源管理系统中。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：480A
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-220

特性

KSD2058Y MOSFET具有出色的电气性能和热稳定性，能够在高电流和高频率条件下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。该器件采用了先进的沟槽式技术，增强了电流处理能力并降低了开关损耗，使其在高频开关电源和功率转换系统中表现出色。
　　KSD2058Y的封装设计（TO-220）便于散热，适用于需要高功率密度的设计。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力，可在高应力工作条件下保持稳定性，提升系统的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持与多种驱动电路兼容，便于设计和应用。KSD2058Y还具备较高的短路耐受能力，适合用于电机控制、电池管理系统和工业电源等高要求场景。

应用

KSD2058Y MOSFET广泛应用于各类高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电动工具、电动车控制器、电池管理系统（BMS）、LED驱动电源、工业自动化控制系统以及电机驱动电路等。由于其高电流承载能力和良好的热性能，KSD2058Y也常用于需要快速开关和高效能转换的电源模块中。