时间：2025/8/24 16:36:29
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KSD1616A-G 是一款由 KEC（现已更名为 KOSMOS）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等应用中。该 MOSFET 采用 TO-220F 封装，具有良好的热性能和可靠性，适用于中高功率应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：60V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：30A
功耗 PD：125W
导通电阻 Rds(on)：≤45mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-220F
KSD1616A-G 具备低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的高电流容量（30A）和60V的漏源电压使其非常适合用于中高功率的电源系统。此外，其TO-220F封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件的机械稳定性和耐用性。
KSD1616A-G 的栅极驱动电压范围为 ±20V，通常在 10V 栅压下即可实现较低的导通电阻，这使其兼容常见的 MOSFET 驱动电路。此外，该器件具有较高的耐用性和稳定性，能够承受一定的瞬态过载和温度波动，适用于工业级应用环境。
这款 MOSFET 还具备较低的开关损耗，适合高频开关应用。其快速开关能力有助于减小电源系统的体积并提升整体能效。同时，该器件具备良好的抗雪崩能力，提高了在高压尖峰环境下的可靠性。
KSD1616A-G 主要用于各种电源管理系统，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）。此外，该器件也常用于汽车电子、工业自动化、LED 驱动电源以及开关电源（SMPS）等高可靠性应用场景。
IRFZ44N, FDP3632, FQP30N06L, AON6260
