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KSC838OBU 发布时间 时间:2025/7/24 18:40:39 查看 阅读:10

KSC838OBU是一款由Korea Semiconductor(韩国半导体公司)制造的NPN型双极结型晶体管(BJT),常用于功率放大和开关应用。这款晶体管具有较高的电流增益和良好的热稳定性,适用于各种电子设备中的功率控制电路。KSC838OBU采用TO-220封装形式,使其在高功率应用中具有良好的散热性能。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):150V
  最大集电极电流(IC):15A
  最大功耗(PD):100W
  电流增益(hFE):20000-50000(典型值)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220

特性

KSC838OBU的主要特性包括高电流增益、低饱和电压和良好的热稳定性。其高电流增益使其在放大电路中表现出色,能够有效地放大微弱信号。低饱和电压特性使得该晶体管在开关应用中具有较低的功耗,提高了系统的效率。此外,该晶体管的热稳定性较好,能够在高温环境下稳定工作,增强了设备的可靠性。TO-220封装提供了良好的散热性能,使得该晶体管能够在高功率条件下长时间工作而不至于过热损坏。

应用

KSC838OBU广泛应用于功率放大器、开关电源、电机控制、逆变器和各种电子设备中的功率控制电路。在音频放大器中,它可以作为输出级晶体管,提供高保真的音频信号放大。在开关电源中,KSC838OBU可以作为功率开关,实现高效的能量转换。此外,它还常用于电机驱动电路中,控制电机的启停和转速。由于其良好的热稳定性和高电流增益,KSC838OBU在工业自动化设备和电源管理系统中也有广泛的应用。

替代型号

KSC838OBV
  KSB1435
  KSC838OBU可以用KSC838OBV作为替代型号,后者具有类似的电气特性和封装形式。此外,KSB1435也是一个可行的替代选择,适用于需要类似性能的电路设计。

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KSC838OBU参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 1mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)70 @ 2mA,12V
  • 功率 - 最大250mW
  • 频率 - 转换250MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装散装