类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大连续漏极电流（ID）：11A
　　最大功率耗散（PD）：80W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

KSC311G50SHLFG 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的导通电阻在 VGS=10V 时仅为 0.45Ω，使得它在高电流应用中能够保持较低的功耗。
　　此外，KSC311G50SHLFG 具有高耐压能力，最大漏源电压为 500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换器和开关电源设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽，最大栅源电压为 ±30V，提供了良好的驱动灵活性。
　　在热管理方面，KSC311G50SHLFG 采用了 TO-220 封装，具有良好的散热性能，能够在较高环境温度下稳定工作。该器件的最大功率耗散为 80W，确保在高负载条件下仍能保持良好的可靠性。
　　KSC311G50SHLFG 还具备良好的抗过载和短路能力，能够在极端工作条件下提供一定的保护功能。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应了广泛的工业环境应用需求。

KSC311G50SHLFG 主要用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、照明控制系统以及各种功率开关应用。在开关电源中，该器件可用于高边或低边开关，提供高效的能量转换。由于其高耐压和大电流能力，KSC311G50SHLFG 也适用于工业自动化设备、电源管理系统以及消费类电子产品的功率控制电路。
　　在电机驱动系统中，该 MOSFET 可用于 H 桥结构中的开关元件，实现对直流电机或步进电机的精确控制。在照明系统中，它可以作为功率开关用于调光或快速开关操作。此外，KSC311G50SHLFG 还可用于电池管理系统、逆变器、不间断电源（UPS）以及其他需要高效率功率开关的场合。

KSC312G50SHLFG, KSC311G50SFLG, IRFBC40, FQA11N50C