KSB817 时间：2025/12/28 16:00:58 阅读：9

KSB817是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率开关应用中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和高效的开关性能，使其适用于高频率和高效率的电路设计。KSB817通常封装在TO-220或TO-252等封装形式中，具备良好的散热性能和稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为3.2mΩ（典型值更低）
　　功率耗散（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

KSB817具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件支持高达80A的连续漏极电流，适用于大电流负载的应用。此外，KSB817具备优异的热稳定性和耐高温能力，可在极端环境下可靠运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至20V驱动电压，从而兼容多种栅极驱动电路。最后，KSB817的封装设计优化了散热性能，确保在高功率操作时保持较低的结温，延长了器件的使用寿命。
　　KSB817的开关特性也十分出色。其快速开关能力使其适用于高频应用，例如DC-DC转换器、电机控制和开关电源。此外，该MOSFET的栅极电荷较低，减少了开关损耗，提高了响应速度。对于需要高效能和紧凑设计的应用，KSB817是一个理想的选择。

应用

KSB817主要应用于需要高效率、高电流和高频率开关的电力电子系统。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）以及工业自动化设备。由于其高电流承载能力和低导通电阻，KSB817也被广泛用于电动车、太阳能逆变器和储能系统中的功率控制模块。