类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：200mW（TTF） / 100mW（STF）
　　最大工作温度：150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110~800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23（TTF）、SOT-323（STF）

KSB1121TTF/STF晶体管具有多个显著特性，使其在高频应用中表现出色。首先，其高增益带宽积（fT）达到100MHz，使得该晶体管在射频和中频放大器中表现优异，适用于无线通信、音频放大等场景。
　　其次，该器件的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，具体取决于等级（如O、Y、GR、BL、SL等），这使得设计者可以根据不同电路需求选择合适的等级，从而优化电路性能。
　　此外，KSB1121TTF/STF采用了小型化的SOT-23和SOT-323封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并且支持表面贴装技术，便于自动化生产和良好的热管理。TTF版本的功耗为200mW，而STF版本为100mW，适合低功耗设计需求。
　　其最大集电极-发射极电压为30V，集电极电流可达100mA，具备良好的耐压能力和电流驱动能力，可用于中等功率的开关和放大应用。工作温度范围广，最高可达150°C，具备良好的热稳定性，适合在工业和汽车电子环境中使用。
　　综合来看，KSB1121TTF/STF晶体管凭借其高频特性、高可靠性、小型封装和多等级选择等优势，成为高频放大、逻辑驱动和通用开关应用的理想选择。

KSB1121TTF/STF晶体管广泛应用于多个电子领域。在通信系统中，它常用于射频（RF）和中频（IF）放大器，以提高信号强度和传输质量。例如，在无线接收器和发射器中，该晶体管可用于前置放大器或驱动放大器，提升整体系统性能。
　　在数字电路中，KSB1121TTF/STF常用于晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路中的开关元件，驱动LED、继电器、小型电机等负载。由于其高电流增益和快速响应特性，该晶体管非常适合用于需要快速切换的应用场景。
　　此外，该器件也广泛应用于音频放大电路，如麦克风前置放大器、耳机驱动器等。其良好的线性特性和高频响应有助于减少信号失真，提高音频质量。
　　在工业自动化和汽车电子系统中，KSB1121TTF/STF可用于传感器信号放大、电机控制、电源管理等应用场景。其小型封装和高可靠性使其特别适合空间受限的嵌入式系统设计。

2N3904, BC847, 2SC2240, KSC1845, 2SA1015（PNP互补型）