时间：2025/11/12 16:15:30
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KS82C452是一款由三星（Samsung）公司生产的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于高速、低功耗的异步SRAM产品系列。该器件主要用于需要快速数据读写和稳定存储性能的应用场合，例如通信设备、工业控制模块、网络设备以及嵌入式系统中的缓存或临时数据存储单元。KS82C452采用标准的并行接口设计，具备地址线、数据线和控制信号线，支持全静态操作，无需刷新电路即可保持数据，因此在系统设计中具有较高的可靠性和稳定性。
该芯片通常封装在DIP（双列直插式）、SOIC（小外形集成电路）或TSOP（薄型小尺寸封装）等常见封装形式中，便于在不同类型的PCB上进行安装与焊接。其工作电压一般为5V±10%，兼容TTL电平输入输出，能够与多种微处理器、微控制器和逻辑电路无缝对接。由于其非易失性以外的高性能读写特性，KS82C452常被用作主控芯片外扩RAM来提升系统的运行效率。
作为一款成熟型号，KS82C452虽然已逐步被更先进的低电压、高密度SRAM所替代，但在一些老旧设备维护、军工设备升级或特定工业环境中仍具备一定的使用价值。此外，该芯片在高温、宽温环境下也表现出良好的稳定性，适用于对环境适应性要求较高的应用场景。
类型：CMOS SRAM
容量：64K x 4 Bit (256Kbit)
组织结构：65536 字 × 4 位
供电电压：4.5V 至 5.5V
工作电流：典型值约 70mA（最大可至 100mA）
待机电流：≤ 100μA（CMOS低功耗模式）
访问时间：典型值为 15ns / 20ns / 25ns（根据具体后缀区分速度等级）
封装形式：PDIP-28, SOIC-28, TSOP-28 等
工作温度范围：商业级 0°C 至 +70°C；工业级 -40°C 至 +85°C
输入电平：TTL 兼容
输出驱动能力：单个输出可驱动一个LSTTL负载
刷新要求：无（静态SRAM，无需刷新）
KS82C452的核心特性之一是其全静态CMOS架构，这种设计使得芯片在没有时钟信号的情况下也能稳定保持数据状态，只要电源持续供应，数据就不会丢失。这与其他需要周期性刷新的动态存储器（如DRAM）形成鲜明对比，从而降低了系统设计复杂度，并提高了整体可靠性。该芯片内部采用优化的地址译码结构和高速存储单元阵列，在保证低功耗的同时实现了纳秒级的数据访问速度，适合用于实时性要求较高的控制系统中。
另一个显著特点是其低功耗表现。尽管工作电压为5V，但通过CMOS工艺的优势，KS82C452在空闲或待机状态下仅消耗极小的静态电流，特别适用于对能耗敏感的应用场景，如便携式仪器或远程监控终端。同时，芯片具备自动低功耗模式，当片选信号处于非激活状态时，内部电路会自动进入节能状态，进一步减少不必要的能量损耗。
该器件还具备出色的抗干扰能力和温度适应性，能够在较宽的温度范围内稳定运行，满足工业级应用需求。其所有引脚均设有静电放电（ESD）保护结构，提升了在实际装配和使用过程中的安全性与耐用性。此外，KS82C452支持三态输出控制，允许多片SRAM共享同一数据总线，方便构建更大容量的存储系统。整体而言，这款SRAM以其成熟稳定的性能、良好的兼容性和可靠的长期供货记录，在特定领域仍然具备不可替代的价值。
KS82C452广泛应用于各类需要高速、稳定、非刷新型存储器的电子系统中。典型用途包括老式通信设备中的缓冲存储器，如程控交换机、调制解调器和传真机等，用于暂存传输过程中的数据包或协议信息。在工业自动化领域，它常被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备或数据采集模块中，作为CPU外部扩展RAM，以提高程序执行效率和数据处理能力。
在网络设备方面，KS82C452可用于早期路由器、桥接器或集线器中，承担帧缓存或队列管理功能。此外，在测试测量仪器如示波器、频谱分析仪中，该芯片也被用来存储采样数据或中间运算结果，确保系统响应迅速且不丢失关键信息。由于其TTL电平兼容性，KS82C452也常见于教育类实验板或开发套件中，供学生和工程师学习存储器接口时序与总线操作原理。
在军事和航空航天领域的部分老旧装备维护中，该型号因其长期供货历史和高可靠性而被保留使用。即使在现代设计中逐渐被更小体积、更低功耗的新型SRAM取代，KS82C452仍在备件替换、系统升级和逆向工程中发挥重要作用。其稳定的电气特性和成熟的生产工艺使其成为许多设计师在进行兼容性设计时的重要参考元件。
IDT71V452
