时间：2025/8/7 13:34:59
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KS621K60是一种静态随机存取存储器（SRAM）芯片，常用于需要高速数据存取的应用中。这种SRAM芯片具有较大的存储容量和较快的访问速度，适用于各种嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及其他需要高速缓存的场景。KS621K60采用标准的封装形式，便于集成到多种电路设计中，并提供可靠的数据存储性能。
容量：64K x 4位
电源电压：5V
访问时间：55ns、70ns、100ns可选
封装形式：28引脚SSOP、28引脚SOIC
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
输入/输出电平：TTL兼容
最大工作频率：约18MHz
待机电流：低功耗模式下典型值为10mA
KS621K60 SRAM芯片具备高速访问能力，其访问时间可在55ns、70ns和100ns之间选择，满足不同系统对速度的需求。该芯片采用低功耗设计，在待机模式下仅消耗极小的电流，适用于对能耗敏感的应用场景。此外，KS621K60支持TTL电平输入和输出，与大多数数字电路兼容，简化了系统设计。其28引脚封装形式节省空间，适用于紧凑型电路板设计。芯片还具备宽温度范围的工作能力，能够在恶劣环境下稳定运行，增强了其在工业和通信领域的适用性。
KS621K60 SRAM芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、音频/视频处理设备以及各种需要高速缓存的微控制器系统。其高速存取能力和低功耗特性使其在实时控制系统和数据采集系统中表现出色。
CY62148VLL-55ZSXC, IS62WV5128BLL-55HIR
