时间:2025/11/12 20:18:47
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KS58C19N是一款由韩国三星(Samsung)公司生产的双极性硅晶体管,属于通用型NPN三极管。该器件主要用于低频、低功率放大和开关应用,广泛应用于消费类电子产品、家用电器控制电路、小型电源管理模块以及各类模拟信号处理系统中。KS58C19N采用TO-92封装形式,具有良好的热稳定性和电气性能,适合在常温及一般工业环境下长期稳定工作。该晶体管设计用于替代多种标准增益带宽产品,在设计上优化了电流增益(hFE)的一致性与噪声特性,适用于音频前置放大器、脉冲驱动电路和逻辑接口驱动等场景。
该型号的命名遵循三星半导体的命名规则:'K'表示系列或材料类型,'S'代表三极管,'58'为特定产品组编号,'C'可能表示其频率特性或增益等级,而'19N'则进一步标识具体规格与批次。由于其制造工艺成熟且成本较低,KS58C19N在亚洲市场尤其是韩国本土和中国电子制造业中被大量使用。尽管目前三星已逐步退出部分分立器件市场,但该型号仍可通过授权代工厂或库存渠道获得,并存在多个第三方兼容型号可供选择。
类型:NPN晶体管
封装:TO-92
集电极-发射极电压(VCEO):30V
集电极-基极电压(VCBO):50V
发射极-基极电压(VEBO):5V
集电极电流(IC):100mA
功耗(Ptot):400mW
直流电流增益(hFE):200 ~ 400(典型值,测试条件IC=2mA)
过渡频率(fT):150MHz
工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
KS58C19N具备优异的直流电流放大能力,其典型的hFE范围在200至400之间,表现出较高的电流增益一致性,这使得它在小信号放大电路中能够提供稳定的增益响应,减少因器件离散性带来的电路调试难度。该晶体管的过渡频率达到150MHz,表明其在高频应用中也具备一定的响应能力,虽然主要定位为低频放大用途,但在音频频段内可以实现平坦的频率响应特性,适用于前置音频放大器、麦克风输入级和滤波电路中的有源元件。
其最大集电极电流为100mA,集电极-发射极击穿电压为30V,能够在大多数低压直流系统中安全运行,如5V、12V或24V供电环境下的开关控制电路。器件的功耗额定值为400mW,配合TO-92封装良好的散热设计,可在适度负载下长时间工作而不发生热失效。此外,发射极-基极电压仅为5V,因此在输入端需要采取限流措施以防止过压损坏,通常建议在基极串联适当阻值的电阻进行保护。
KS58C19N采用硅材料制造,具有较低的饱和压降(VCE(sat)),一般在IC=10mA、IB=1mA条件下测得不超过0.25V,这一特性使其在作为开关使用时能有效降低导通损耗,提高系统效率。同时,其截止频率和开关速度满足一般数字逻辑驱动需求,可用于微控制器输出信号的缓冲与驱动,例如驱动LED指示灯、继电器线圈或小型蜂鸣器。
该晶体管的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,适应性强,可在极端环境温度下保持正常功能,适用于工业控制设备、户外电子装置和车载辅助系统等对可靠性要求较高的场合。整体来看,KS58C19N是一款性价比高、通用性强的小信号NPN晶体管,特别适合用于替代老旧设计中的类似增益等级三极管,在现代电子产品维修与原型开发中依然保有重要地位。
KS58C19N广泛应用于各类低功率电子系统中,尤其常见于消费类电子产品的信号放大与开关控制电路。其典型应用场景包括音频前置放大器,其中利用其高电流增益特性对微弱声音信号进行初步放大,提升信噪比并驱动后续功率级;在麦克风输入电路中,该晶体管可作为阻抗匹配和信号增强的核心元件,确保音频采集质量。
在数字控制系统中,KS58C19N常用于单片机I/O口的扩展驱动,将微弱的逻辑电平信号转换为足以驱动外部负载的电流输出,例如点亮LED、激活光耦或控制小型继电器的动作。由于其具备较低的饱和压降和适中的开关速度,非常适合用于脉冲宽度调制(PWM)信号的功率传递环节,实现对电机转速或灯光亮度的调节。
在家用电器领域,该器件被集成于电视、音响、洗衣机、空调等设备的电源启停控制、状态指示和传感器信号调理模块中,执行电平转换、信号隔离和负载驱动等功能。此外,在电源管理电路中,KS58C19N可用于线性稳压器的误差放大反馈回路或作为过流检测的传感开关,协助维持输出电压稳定。
由于其封装小巧(TO-92)、安装方便且成本低廉,KS58C19N也常出现在教育实验套件、DIY电子项目和原型验证板中,是电子爱好者和工程师进行基础电路搭建的理想选择之一。其稳定性与兼容性使其成为许多经典三极管应用电路(如共射放大电路、达林顿对管前级、多谐振荡器等)中的首选器件。
BC547, 2SC1815, MMBT3904, 2N3904