KRM55WR72A226MH01L 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的高可靠性功率半导体芯片,属于沟槽栅极场效应晶体管(Trench MOSFET)系列。该芯片主要应用于开关电源、电机驱动、工业控制以及汽车电子等领域,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性。
这款 MOSFET 采用 N 沟道设计,额定电压为 700V,适合高压应用场合。同时,其封装形式为 TO-247-3,能够提供卓越的散热性能以满足大功率需求。
类型:N 沟道 MOSFET
额定电压:700V
额定电流:22A
导通电阻(典型值):65mΩ
最大工作结温:175℃
封装形式:TO-247-3
KRM55WR72A226MH01L 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关性能,支持高频操作,减少开关损耗。
3. 出色的热稳定性,适用于高温环境下的长期运行。
4. 强大的雪崩能力,提高器件在异常条件下的耐受性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
6. 内置静电保护功能,增强产品的鲁棒性。
这些特性使得 KRM55WR72A226MH01L 成为高性能电力电子应用的理想选择。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的逆变器模块。
3. 工业设备中的功率转换器和控制器。
4. 汽车电子系统的 DC/DC 转换器及负载开关。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的功率处理单元。
KRM55WR72A226MH01L 的高效率和高可靠性使其特别适合需要长寿命和高稳定性的应用场景。
KRM55WR72A228MH01L
KRM55WR72A22AMH01L
KRM55WR72A22BMH01L