KRC857E-RTK/P 时间：2025/9/12 11:37:39 阅读：4

KRC857E-RTK/P是一款双极型晶体管（BJT），通常用于高频放大和开关应用。该器件采用先进的硅外延平面技术制造，具有高增益、低噪声和良好的高频特性。其封装形式为TO-92，适用于各种通用电子设备和电路设计。KRC857E-RTK/P是一款NPN型晶体管，广泛用于音频放大、射频（RF）电路以及数字开关应用中。

参数

类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92

特性

KRC857E-RTK/P是一款高性能的NPN晶体管，具有优异的高频响应和低噪声特性，非常适合用于射频和音频放大电路。其高电流增益确保了良好的信号放大能力，适用于多种通用放大和开关应用。该器件的封装形式（TO-92）提供了良好的散热性能，确保在高频率和中等功率条件下稳定运行。此外，该晶体管的低饱和压降（Vce_sat）使其在开关应用中效率更高，减少了能量损耗。KRC857E-RTK/P还具有较强的温度稳定性和抗干扰能力，能够在复杂的工作环境中保持性能稳定。这些特性使其成为各种消费电子、工业控制和通信设备的理想选择。

应用

KRC857E-RTK/P广泛应用于音频放大器、射频（RF）放大器、数字开关电路、振荡器和信号处理电路中。它在消费类电子产品中常用于前置放大器、功率放大器和逻辑电路设计。此外，该晶体管还可用于传感器电路、LED驱动、电源管理模块以及各种通用电子控制系统中。在通信设备中，KRC857E-RTK/P可用于无线发射模块和接收前端电路，提供良好的信号放大和处理能力。由于其高可靠性和低成本，它也常用于教育实验和原型设计项目。