类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：12V（最大值）
　　连续漏极电流（ID）：4.1A（@25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.165Ω（@VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23

KRC824U-RTK/P MOSFET具有多个显著的技术特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其较低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。这在高电流应用中尤为重要，因为功率损耗与电流平方和导通电阻成正比。其次，该器件具有较高的栅极阈值电压（VGS(th)），确保了在高频开关应用中器件的稳定性和抗干扰能力。此外，KRC824U-RTK/P 采用了SOT-23封装形式，体积小巧，适用于高密度PCB布局。该封装还具有良好的散热性能，有助于在高功率运行时保持芯片温度在安全范围内。
　　另一个关键特性是其出色的热稳定性与高可靠性。KRC824U-RTK/P 设计有较高的热阻能力，能够在高温环境下保持良好的导电性能，并且具备良好的短路耐受能力。这种高可靠性使得该MOSFET适用于车载电子、工业控制、通信设备等对稳定性和寿命要求较高的应用场合。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含有害物质，满足现代电子产品对环保的要求。

KRC824U-RTK/P MOSFET主要应用于低电压、中等电流的功率开关场合。常见的应用包括便携式电子设备的电源管理电路、DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、LED照明控制电路以及各种负载开关电路。在电机控制应用中，该MOSFET可以作为H桥电路的一部分，实现电机的正反转控制和制动功能。在电池管理系统中，它可以用于控制充放电路径，保护电池免受过流和短路损害。此外，KRC824U-RTK/P 也广泛用于各类消费类电子产品和工业控制设备中的电源开关控制。

2N7002K, 2N3904, FDN340P