时间：2025/12/28 15:12:20
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KRC656E-RTK/P是一款由Kec Corporation（KEC）制造的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高效率、高频率的开关应用，具有低导通电阻和高耐压特性，适合在电源管理、DC-DC转换器和负载开关等应用中使用。该器件采用TO-92封装，适用于通孔安装。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON))：约10Ω（典型值）
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-92
KRC656E-RTK/P MOSFET具备多个关键特性，使其在各种电子电路中表现出色。首先，它的低导通电阻（RDS(ON)）使其在导通状态下损耗更低，提高了能效。其次，该器件的最大漏-源电压为60V，适用于多种中高功率应用，同时具备良好的击穿电压裕度。
此外，KRC656E-RTK/P的栅极驱动电压范围较宽，最大栅-源电压为±20V，允许使用多种驱动电路，增加了设计灵活性。其TO-92封装虽然体积小巧，但散热性能良好，能够在相对紧凑的空间内实现可靠的功率控制。
KRC656E-RTK/P MOSFET广泛应用于多种电子设备和系统中。其中，最典型的应用包括DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统和小型电机控制电路。由于其具备较低的导通电阻和良好的耐压能力，该器件在便携式电子设备的电源管理模块中表现出色，能够有效提升能效并延长电池续航时间。
2N7002, BS170, 2N3904
