时间：2025/9/12 14:03:16
阅读：32
KRC407-RTK/P 是一款由 Kinetic Technologies（前身为 KEC Corporation）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率的功率管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理系统。这款 MOSFET 采用了先进的沟槽式技术，以提供更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的功率密度。KRC407-RTK/P 采用小型封装，适合在空间受限的应用中使用，同时保持良好的热性能和电气性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流 (Id)：10A
漏极-源极击穿电压 (Vds)：30V
栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：12mΩ @ Vgs=10V
导通电阻 (Rds(on))：17mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散 (Pd)：3.3W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：PowerPAK SO-8 双片封装
KRC407-RTK/P 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET，具备多项优良特性，使其适用于多种功率管理应用。
首先，该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时为 12mΩ，在 Vgs=4.5V 时为 17mΩ。这种低导通电阻有助于降低导通损耗，从而提高整体能效。此外，该特性还使得器件在高电流应用中仍能保持较低的温升，延长器件的使用寿命。
其次，KRC407-RTK/P 支持高达 10A 的连续漏极电流和 30V 的漏极-源极电压，适用于中等功率水平的应用。其栅极-源极电压容限为 ±20V，使其在驱动电路设计上具有较高的灵活性。
此外，该 MOSFET 采用先进的沟槽式技术，提高了器件的导电性能，同时优化了热管理能力。其 PowerPAK SO-8 双片封装设计不仅减小了 PCB 占用空间，还增强了散热性能，使其能够在高功率密度环境中稳定工作。
最后，KRC407-RTK/P 具有良好的稳定性和可靠性，适用于各种工业级应用，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，满足严苛的环境条件要求。
KRC407-RTK/P 广泛应用于多个功率管理领域，特别是在需要高效率和紧凑设计的场合。
首先，该器件常用于 DC-DC 转换器，作为同步整流器或主开关，以提高转换效率并减少热损耗。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源模块。
其次，KRC407-RTK/P 也广泛用于负载开关电路中，用于控制电源供应至不同电路模块。其快速开关特性和低导通损耗使其在热插拔电源管理、电池供电设备和便携式电子产品中具有广泛应用。
此外，该 MOSFET 还适用于电机控制、LED 驱动和电源管理系统，如电源管理 IC（PMIC）配套开关。由于其优异的热性能，该器件在高温环境下仍能稳定工作，适用于工业自动化和车载电子系统。
综上所述，KRC407-RTK/P 凭借其高性能参数和紧凑封装，成为多种中功率应用的理想选择。
Si4410BDY, IRF7413, FDS6680, AO4407A
