类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
　　封装类型：TDFN（热增强型双扁平无引脚封装）
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：5.3nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装尺寸：3mm x 3mm
　　安装类型：表面贴装（SMT）

KRC402V-RTL/P 具有极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高系统效率。其采用的TDFN封装具备良好的热管理能力，有助于在高负载条件下维持稳定的性能。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频率操作环境，从而减少了开关损耗。其栅极驱动电压范围宽泛，通常适用于1.8V至5V的逻辑电平控制，便于与多种控制器或处理器配合使用。KRC402V-RTL/P 还具备过热和过流保护能力，增强了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
　　该MOSFET的硅工艺和封装设计结合了高功率密度和小型化优势，使其适用于空间受限的设计，如便携式电子设备、电池管理系统和DC-DC转换器。其高可靠性和低热阻特性也使其适合用于汽车电子和工业控制系统中。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品的设计。

KRC402V-RTL/P 主要应用于需要高效能、低功耗的电子系统中，如DC-DC降压或升压转换器、负载开关、电源管理系统、电池供电设备、服务器和通信设备的电源模块。此外，它也可用于电机控制、LED驱动器和工业自动化系统中的功率开关部分。由于其良好的热性能和高可靠性，该器件在汽车电子领域也有广泛应用，例如车载充电系统、车身控制模块和车载娱乐系统等。在设计中，它可以作为主开关器件或辅助开关器件，用于提高整体能效和稳定性。

Si2302DS, BSS138K, FDN304P, TSM2302CX