时间：2025/9/12 11:00:47
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KRC118S-RTK 是一款由Korea Electronics（KEC）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于高频率开关和功率管理应用。该器件采用先进的工艺技术，提供优良的导通性能和热稳定性，适用于DC-DC转换器、电源管理和电池充电系统等场景。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：8A
导通电阻（RDS(on)）：25mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~3V
功率耗散（PD）：2W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KRC118S-RTK具有低导通电阻，可以显著降低功率损耗，提高系统效率。其先进的封装技术提供了良好的热管理性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持逻辑电平驱动，使得其与多种控制电路兼容。此外，它具备较高的耐用性和可靠性，适用于严苛的工作环境。
这款器件的另一个显著特点是其快速开关能力，使其在高频应用中表现优异。其短的开关时间降低了开关损耗，提高了整体系统效率。KRC118S-RTK还具备良好的抗雪崩能力，可以在过载和瞬态条件下提供额外的保护，延长器件的使用寿命。
KRC118S-RTK 主要用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器和负载开关等应用。由于其优异的性能和可靠性，它也广泛应用于工业控制设备、消费类电子产品以及汽车电子系统中。在需要高效能和小尺寸解决方案的场合，KRC118S-RTK是一个理想的选择。
Si4410BDY, IRFZ44N, AO4406, FDS6680
