KRC111M 时间：2025/12/28 14:46:05 阅读：12

KRC111M 是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统中。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适合于高效率、高密度的电源设计。其封装形式通常为TO-252（DPAK）或类似的小外形封装，便于在各类电子设备中安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（典型值，Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.7mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

KRC111M 的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高电源转换效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了在高电流条件下的稳定性能。此外，其高耐压能力（100V）使其适用于多种高压应用，如汽车电子、工业电源和电池管理系统。该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高功率密度环境下可靠运行。其封装设计优化了散热性能，支持表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和装配可靠性。
　　在电气特性方面，KRC111M 具有快速开关速度，能够减少开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关效率。此外，该器件的雪崩能量等级较高，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。KRC111M 还具备较强的短路耐受能力，适合用于对可靠性要求较高的场合。

应用

KRC111M 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　? 电源管理系统：如DC-DC转换器、负载开关和电池充电电路。
　　? 工业自动化设备：用于控制电机、继电器和传感器的电源开关。
　　? 汽车电子：如车载充电器、起停系统和电池管理系统（BMS）。
　　? 服务器和通信设备：用于高效率电源模块和热插拔控制电路。
　　? 太阳能逆变器和储能系统：用于功率调节和能量管理。