KRC110M-AT/P 时间：2025/6/21 5:07:04 阅读：3

KRC110M-AT/P 是一种用于电力电子领域的高压 MOSFET 芯片，广泛应用于高功率转换电路和开关电源中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的耐压性能。KRC110M-AT/P 的设计旨在满足工业应用对高效能和可靠性的需求，适用于高频工作条件下的各种场景。

参数

最大漏源电压：1100V
　　连续漏极电流：16值）：0.5Ω
　　栅极电荷：45nC
　　输入电容：2300pF
　　反向恢复时间：80ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-247

特性

KRC110M-AT/P 具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力，适合 1kV 级以上的高压应用。
　　2. 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗。
　　3. 快速开关速度，支持高频工作模式。
　　4. 内置优化的雪崩能量吸收能力，提升可靠性。
　　5. 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能。
　　6. 工作温度范围宽，适应极端环境下的运行需求。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保友好。

应用

KRC110M-AT/P 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和逆变器。
　　2. 太阳能光伏系统中的 DC-DC 和 DC-AC 转换。
　　3. 电机驱动和变频控制器。
　　4. 不间断电源 (UPS) 系统。
　　5. 工业焊接设备。
　　6. 高频电感加热装置。
　　7. 其他需要高效率、高可靠性的高压开关场合。