时间：2025/12/28 15:03:42
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KRC109M 是一款广泛应用于电源管理和信号切换领域的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的高压制造工艺，具备优良的导通特性和快速开关性能，适用于各种中高功率场合。其封装形式为TO-252（DPAK），便于散热和安装，适用于表面贴装技术。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：9A
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻（Rds(on)）：≤0.36Ω（在Vgs=10V时）
栅极电荷（Qg）：18nC
输入电容（Ciss）：520pF
封装：TO-252（DPAK）
KRC109M 具备低导通电阻的特点，这使得它在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其漏源电压为100V，适合用于中高电压系统的开关控制。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在较高的环境温度下稳定运行。
在开关特性方面，KRC109M 提供了快速的开关响应时间，适用于高频开关应用。其栅极电荷较低，有助于减少驱动电路的能量损耗，提高整体系统的响应速度。
封装方面，采用TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高稳定性的工业控制、电源转换和马达驱动等应用。该封装支持表面贴装技术，有利于自动化生产和降低制造成本。
此外，该MOSFET具备良好的抗静电能力和过热保护特性，增强了器件在复杂电磁环境中的稳定性和可靠性。适用于多种电源管理场景，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等。
KRC109M 常用于各种电源管理系统和功率控制电路中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统中的负载开关等。
由于其具备较高的漏源电压和良好的导通特性，该器件适用于需要中高功率开关控制的场景。例如，在电动车、电动工具和储能系统中，KRC109M 可用于电池充放电管理电路中的主开关元件。
此外，该MOSFET也可用于逆变器系统中的功率开关，配合其他控制IC实现高效的能量转换。同时，其快速开关特性也使其适用于PWM控制电路和高频变换器中。
在消费类电子产品中，如智能家电、电源适配器和充电器等，KRC109M 也可作为主控开关或辅助开关使用，实现对负载的高效控制。
KRC109S, KRC108M, FQP9N90C, IRFZ44N
