晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

KRC101S-RTK-P晶体管具有良好的高频响应特性，适用于小信号放大器和数字开关电路。该器件的VCEO为50V，能够承受一定的电压应力，适用于多种低压电子设备。此外，其SOT-23封装形式不仅节省空间，还具备良好的热性能和电气性能，适合自动化生产流程。
　　该晶体管的制造工艺成熟，具有较高的可靠性和一致性，适合批量使用。其最大集电极电流为100mA，能够满足大多数低功率应用的需求。同时，KRC101S-RTK-P的工作温度范围较宽，可以在-55°C至150°C之间稳定工作，适应多种环境条件。
　　在电气特性方面，该晶体管具有较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于降低功耗并提高效率。此外，其电流增益（hFE）在不同工作电流下表现出良好的稳定性，确保了信号放大的线性度和准确性。

KRC101S-RTK-P晶体管广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要小信号放大和开关控制的电路中。例如，在消费电子产品中，它可用于音频放大器、逻辑电路和电源管理模块；在工业控制系统中，该晶体管可用于传感器信号处理、继电器驱动和控制电路；在通信设备中，KRC101S-RTK-P可用于射频信号放大和数据传输电路。
　　由于其SOT-23封装的紧凑设计，KRC101S-RTK-P特别适合用于印刷电路板（PCB）布局空间有限的应用场景。此外，该晶体管的高可靠性和稳定性使其成为汽车电子、医疗器械和测试设备等高要求领域的理想选择。

2N3904, BC817, PN2222A