类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：150mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）

KRA764E晶体管具有优异的线性放大特性，适用于低频和中频音频放大应用。其高电流增益（hFE）范围使其能够灵活应对不同电路设计的需求。此外，KRA764E的封装形式（TO-92）小巧，便于在PCB板上安装，同时具有良好的热稳定性和抗干扰能力。晶体管的频率响应范围较广，可以满足多种信号处理需求。在开关应用中，其快速响应能力能够提高系统的整体效率。
　　该晶体管在制造过程中采用了高纯度材料和先进的工艺，确保了器件的稳定性和一致性。其较低的饱和压降（Vce_sat）有助于减少能量损耗，提高电路的能效。同时，KRA764E具有较高的耐压能力，能够在相对苛刻的工作环境下保持正常运行，例如在较高电压或瞬态电压波动较大的电路中。
　　此外，KRA764E的广泛应用还得益于其低成本和易获取性，使其成为许多电子工程师的首选晶体管之一。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中，KRA764E都能提供可靠的性能。

KRA764E主要用于音频放大器、电压调节器、开关电路、传感器驱动电路以及各种通用电子设备中的信号处理和功率控制。它常用于低功耗放大电路、LED驱动电路、继电器控制电路和逻辑电平转换电路等。由于其良好的频率响应和增益特性，该晶体管也常用于射频（RF）前端电路中的信号放大环节。

2N3904, BC547, 2SC1815, PN2222A