类型：GaAs FET（金属半导体场效应晶体管）
　　最大漏极电流（ID(max)）：500 mA
　　最大漏源电压（VDS(max)）：12V
　　频率范围：50 MHz ~ 1 GHz
　　输出功率：约 10 W（在1 GHz）
　　增益：约 18 dB（在1 GHz）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

KRA763E-RTK 具有多个关键特性，使其适用于各种射频应用。首先，其采用 GaAs 技术，提供了优异的高频性能，能够在 UHF 和 L 波段范围内高效运行。其次，该晶体管具有较高的线性增益，确保信号在放大过程中保持良好的失真控制，适用于需要高保真度的通信系统。此外，KRA763E-RTK 的封装设计具备良好的散热性能，有助于在较高功率条件下保持稳定工作状态。其高可靠性也使其适合在恶劣环境条件下运行，如工业控制、广播设备和测试仪器等应用场景。
　　另一个重要特性是其低噪声性能，在接收前端应用中可以减少信号干扰，提高整体系统灵敏度。同时，该晶体管具有良好的热稳定性，能够在宽温度范围内维持性能不变，适应各种户外和工业环境的需求。KRA763E-RTK 还具有较宽的工作电压范围，允许在不同电源条件下灵活使用。

KRA763E-RTK 主要用于无线通信系统中的射频功率放大器，包括广播设备、无线基础设施、工业控制系统以及测试与测量仪器。该器件特别适用于需要在 UHF 和 L 波段范围内提供高增益和线性放大的应用。例如，在 FM 广播或电视发射系统中，它可以作为前级放大器或中功率放大器使用。此外，它还可用于无线基站、数据通信设备和雷达系统等需要稳定射频输出的场景。由于其高可靠性和良好的温度稳定性，KRA763E-RTK 也适合用于户外和工业级设备中。

MRF6S20060N, BLF188X