晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：16-DIP/SOP
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据等级不同）

KRA2002B具有优良的电气性能和稳定性，适用于多种电子电路设计需求。其主要特性包括：
　　1. 内部集成双NPN晶体管，减少PCB空间占用，提高设计灵活性。
　　2. 高频响应特性良好，适合用于信号放大和开关控制。
　　3. 电流增益范围宽，hFE可根据不同等级选择，满足不同应用场景对放大系数的要求。
　　4. 工作温度范围广，从-55℃到+150℃，能够在极端温度条件下稳定工作，适用于工业级和汽车电子领域。
　　5. 功耗较低，300mW的额定功耗使其在小型化设备中也能安全使用。
　　6. 封装形式多样，提供16-DIP和16-SOP两种选项，适用于通孔焊接和表面贴装工艺。
　　7. 具有良好的热稳定性和抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中正常工作。

KRA2002B广泛应用于多种电子设备和系统中，包括：
　　1. 工业自动化控制系统，如PLC模块、继电器驱动电路。
　　2. 通信设备中的信号放大和处理电路。
　　3. 电源管理电路，如DC-DC转换器和负载开关控制。
　　4. 汽车电子系统，如车载传感器、仪表盘指示灯控制等。
　　5. 家用电器，如空调、洗衣机中的控制电路。
　　6. 教育和实验设备，用于电子电路教学和实验设计。

KRA2002B的替代型号包括KRA2001B、KRA2004B、ULN2003A、ULN2004B等。