KR52S027M 时间：2025/12/28 14:35:25 阅读：14

KR52S027M 是一款由韩国KOREA SEMICONDUCTOR（韩国半导体公司）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等高功率电子系统中。该器件采用N沟道增强型结构，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于需要高效率和高性能的电子设计。KR52S027M 通常采用TO-220或DPAK等封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：27A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤45mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / DPAK

特性

KR52S027M 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有优异的电气特性和可靠性。其核心特性之一是低导通电阻（RDS(on)），典型值小于45毫欧姆，在10V的栅极驱动电压下可实现极低的导通损耗，这对于提高电源系统的效率至关重要。该器件支持高达27A的连续漏极电流和60V的漏源电压，适用于中高功率应用场景，如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统和工业控制电路。
　　此外，KR52S027M具备快速开关特性，可实现高频操作，从而减小外围电感和电容的尺寸，提升系统的功率密度。其栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动（通常为4.5V至10V），便于与各种控制IC或微控制器接口。该MOSFET还具备良好的热稳定性，封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　在可靠性方面，KR52S027M采用了先进的硅工艺和封装技术，具备良好的抗静电能力和热保护性能，适合在恶劣的工业环境中使用。此外，其封装形式（如TO-220或DPAK）易于安装和焊接，适合自动化生产和广泛应用。

应用

KR52S027M 适用于多种高功率电子系统和模块，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、LED驱动电源、工业自动化设备以及车载电子系统。由于其低导通电阻和高电流能力，KR52S027M特别适合用于需要高效率和高可靠性的功率开关应用。在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电器、电动工具、车载逆变器等系统中。此外，KR52S027M也广泛用于电源管理模块、服务器电源、网络设备电源以及便携式储能设备中。