时间：2025/6/19 7:34:32
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KR355WD72W125MH01K是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够显著提升系统效率并减少发热。
此型号中的关键特性包括高雪崩能量承受能力、快速开关速度以及卓越的热稳定性，这些特点使其非常适合于要求严苛的工业和汽车应用环境。
最大漏源电压：72V
最大连续漏极电流：125A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：120nC
开关时间（开启/关闭）：18ns/45ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
KR355WD72W125MH01K采用了沟槽式MOSFET结构设计，这使得其具备非常低的导通电阻，从而降低了功率损耗。此外，该芯片还拥有快速的开关速度，可以有效减少开关损耗，提高整体效率。
在可靠性方面，这款器件经过优化处理，具有很高的雪崩击穿能力和抗浪涌电流能力，能够在异常条件下保护电路免受损害。
同时，它支持较宽的工作温度范围，即使在极端环境下也能保持稳定运行。这种特性对于需要长时间工作的工业设备或者高温环境下的汽车电子系统尤为重要。
该芯片广泛适用于各种高功率密度的应用场景，如服务器电源模块、电动汽车牵引逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的大电流驱动电路等。
在电动车领域，它可以作为主驱逆变器的一部分，帮助实现高效的电能转换；而在通信基站中，则可用于提供稳定的直流供电。此外，KR355WD72W125MH01K也常见于各类高性能计算设备的辅助电源设计当中。
IRFP2907ZPBF, CSD19536Q5A
