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KR15S027M 发布时间 时间:2025/9/12 22:31:43 查看 阅读:16

KR15S027M 是一款由 KEC Corporation(韩国电子部件公司)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等高效率电源系统中。该 MOSFET 采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,有助于降低导通损耗并提高系统效率。KR15S027M 通常封装在 TO-252(DPAK)或类似的表面贴装封装中,便于散热和安装。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):150V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):15A(在 Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):0.27Ω @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):80W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

KR15S027M 的核心特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这使得该器件在导通状态下具有较低的压降和功耗,从而提高整体能效。此外,该 MOSFET 具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围较宽,通常在 4V 至 20V 之间,兼容多种驱动电路。
  该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够在短时间内承受较高的能量冲击,提高了系统的可靠性。此外,由于采用了表面贴装封装,KR15S027M 在 PCB 上的安装更加方便,并且可以通过 PCB 散热焊盘进行有效散热,延长使用寿命。
  在开关性能方面,KR15S027M 具有较快的开关速度,适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器和同步整流电路。其输入电容(Ciss)适中,有利于降低驱动损耗,同时减少开关过程中的电磁干扰(EMI)。

应用

KR15S027M 常用于多种电源管理系统中,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动器、LED 照明驱动电路以及工业控制设备。由于其良好的热性能和高可靠性,该器件也适用于需要长时间连续工作的工业和车载电子系统。

替代型号

IRFZ44N, FDPF15N06L, FDS6680, KR15S017M, KR15S030M

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