KQ1008TTE2R7J 是一款由 KEMET 公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于表面贴装型电容器。该型号的电容值为 2.7 pF,额定电压为 100 V,采用 NPO(C0G)介质材料,具有极高的稳定性和低损耗,适用于对电容稳定性要求极高的射频(RF)和高频电路中。
电容值:2.7 pF
容差:±5%
额定电压:100 V
介质材料:NPO(C0G)
封装尺寸:0805(公制 2012)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
温度系数:0 ppm/°C ±30 ppm/°C
损耗因子(DF):≤ 0.15%
绝缘电阻:≥ 10000 MΩ
结构:多层陶瓷电容器(MLCC)
KQ1008TTE2R7J 的最大特点是其采用 NPO(C0G)介质材料,这种材料具有极高的温度稳定性和频率稳定性,能够在宽温度范围内保持电容值的恒定。此外,该电容器的损耗因子非常低,通常小于 0.15%,使其非常适合用于高频和射频电路中,以减少信号损失。其额定电压为 100 V,能够在较高的电压条件下稳定工作。
这款电容器采用了 0805 封装尺寸,符合 JEDEC 标准,便于在 PCB 上进行自动化贴装。其工作温度范围为 -55°C 至 +125°C,适用于各种恶劣环境条件下的应用。绝缘电阻高达 10000 MΩ 以上,确保了良好的电气隔离性能。此外,该电容器具备良好的抗湿性和耐热性,能够在高温高湿环境中保持稳定运行。
由于其优异的电气性能和稳定性,KQ1008TTE2R7J 特别适合用于需要高精度、高稳定性的电路中,如射频滤波器、振荡器、放大器和高频信号处理电路等。其结构设计也使其具有良好的机械强度,能够承受一定的机械应力,适用于需要高可靠性的工业和通信设备。
KQ1008TTE2R7J 多层陶瓷电容器广泛应用于射频(RF)和高频电子设备中,例如无线通信设备、射频放大器、滤波器、振荡器、调谐电路等。由于其卓越的温度稳定性和低损耗特性,它也常用于精密模拟电路、测试与测量设备、航空航天电子系统以及高可靠性工业控制设备中。此外,该电容器还适用于电源管理电路、DC-DC 转换器、信号耦合与去耦电路等应用场景。
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