KPS8N65D-RTF/H 时间：2025/12/28 15:26:04 阅读：12

KPS8N65D-RTF/H 是一种高性能的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理应用而设计。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高击穿电压和优异的热稳定性，适用于各种电力电子变换器和电源模块。KPS8N65D-RTF/H封装在TO-220或TO-263等常见功率封装中，便于安装和散热。其650V的漏源击穿电压使其适用于中高功率应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器以及LED照明系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：8A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.45Ω（最大值0.6Ω）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V～4V
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220或TO-263

特性

KPS8N65D-RTF/H具有多项显著的性能特点，能够满足高可靠性电源系统的设计需求。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，特别适合高频开关应用。其次，高达650V的漏源击穿电压确保该器件能够在高压环境下稳定工作，适用于多种拓扑结构，如反激式、正激式和LLC谐振变换器。此外，该MOSFET具有快速恢复的内部体二极管，减少了反向恢复损耗，提高了系统的动态响应能力。
　　在热性能方面，KPS8N65D-RTF/H采用了优化的芯片设计和封装结构，提升了热传导效率，确保在高电流工作状态下仍能保持较低的结温。其最大功率耗散为100W，在适当的散热条件下可支持更高的连续工作电流。该器件的工作温度范围宽，从-55°C到150°C，适用于工业级和汽车级应用环境。
　　此外，KPS8N65D-RTF/H具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了器件在恶劣工况下的可靠性。其栅极驱动电压范围宽（通常为10V～20V），兼容多种驱动电路，方便与PWM控制器或驱动IC配合使用。

应用

KPS8N65D-RTF/H广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电池充电器、UPS不间断电源、电机驱动器、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该MOSFET也可用于新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统的功率转换部分。