KPS8N65 时间：2025/12/28 15:46:29 阅读：10

KPS8N65是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率密度和高效率的电源系统中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有优异的导通和开关性能，适用于如电源适配器、LED照明驱动、电机控制等多种功率转换场景。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：650V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A（在25℃）
　　功耗(Pd)：62W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、TO-263等

特性

KPS8N65 MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))，典型值为0.85Ω，可有效降低导通损耗并提高系统效率。
　　该器件具备较高的耐压能力，额定漏源电压可达650V，适合用于高压电源应用。
　　KPS8N65采用了高可靠性平面技术，具有良好的热稳定性和抗过载能力，确保在高功率工作条件下的长期稳定性。
　　其栅极设计支持快速开关操作，从而减少了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
　　此外，该MOSFET具有较低的输入电容和输出电容，有助于提高系统的动态响应速度和整体性能。

应用

KPS8N65主要应用于高功率电源系统，包括开关电源(SMPS)、AC/DC转换器、DC/DC转换器、LED照明驱动电源、电机控制和功率因数校正(PFC)电路等场景。
　　在电源适配器中，该器件能够实现高效率的能量转换，满足节能和小型化设计需求。
　　在LED照明驱动中，KPS8N65可以作为主开关器件，提供稳定的输出和良好的调光性能。
　　同时，该MOSFET也适用于工业控制设备、智能家电和新能源设备中的功率管理模块，以提升系统的整体效率和可靠性。