类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.75Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220F（表面贴装型）

KPS8N60D-RTF/H 的主要特性之一是其高击穿电压能力，达到600V，这使得它非常适合用于高电压电源应用中，例如AC-DC转换器和DC-DC变换器。该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，从而提高系统的整体效率。此外，其TO-220F封装提供了良好的散热性能，适用于需要高功率耗散的应用场景。
　　此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力和热稳定性，能够在严苛的工作条件下保持可靠运行。栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V之间的驱动电压，便于与多种类型的驱动电路兼容。器件还内置了快速恢复二极管（FRD），有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。
　　由于其表面贴装型封装（TO-220F），KPS8N60D-RTF/H 适用于自动化生产流程，提升了制造效率和装配可靠性。在EMI（电磁干扰）控制方面，该器件的设计优化了开关过程中的噪声表现，有助于简化电路设计并满足电磁兼容性要求。

KPS8N60D-RTF/H 广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、LED驱动电源、电池充电器、逆变器、马达控制器、DC-AC转换器、UPS系统以及工业自动化设备中的电源模块。由于其高耐压和低导通电阻的特性，特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统中。例如，在LED照明电源中，它可作为主开关元件，实现高效率的恒流输出；在充电器设计中，能够支持快速充电并减少发热现象。此外，在光伏逆变器和电动车充电设备中，该器件也可用于实现高效的能量转换。

KPS8N60C, FQA8N60C, IRF8N60C, KSC8N60D