KP8N65F-U/PF 时间：2025/9/11 18:11:02 阅读：30

KP8N65F-U/PF是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场景。KP8N65F-U/PF封装形式为TO-220或TO-252（DPAK），便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：650V
　　最大漏极电流（Id）：8A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.2Ω（最大1.5Ω）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃~+150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-252

特性

KP8N65F-U/PF功率MOSFET采用了先进的平面硅工艺，具有优异的电气性能和热管理能力。其主要特性包括高击穿电压（650V），能够满足高输入电压应用中的耐压需求；较低的导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率；同时具备良好的短路和过载保护能力，增强了器件的可靠性。
　　此外，KP8N65F-U/PF具有快速开关特性，能够支持高频开关操作，适用于各类开关电源拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振转换器等。其封装形式（TO-220/TO-252）提供了良好的散热性能，适用于中高功率应用场景。
　　该器件还具备良好的抗干扰能力和稳定的栅极控制特性，适合在复杂电磁环境下工作。同时，KP8N65F-U/PF符合RoHS环保标准，适用于各种工业和消费类电子产品。

应用

KP8N65F-U/PF广泛应用于各类功率电子设备中，包括AC-DC开关电源、DC-DC转换器、LED驱动电源、逆变器、电机控制器、负载开关和电池管理系统等。由于其高耐压和良好导通性能，特别适用于输入电压较高的离线式电源系统。此外，KP8N65F-U/PF还可用于工业自动化设备、通信电源模块、家用电器和智能电表等场景。