KP8N60D-RTF/H 时间：2025/12/28 14:36:32 阅读：23

KP8N60D-RTF/H 是一款由KEXIN（科信）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用和电源管理领域。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性和可靠性，广泛应用于开关电源、适配器、LED照明、DC-DC转换器等电子产品中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：8A（25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.95Ω（最大1.2Ω）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（Pd）：50W
　　漏极-源极击穿电压：600V

特性

KP8N60D-RTF/H具备多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下具有较低的功耗，从而提高了整体系统的效率。其次，该器件具有较高的耐压能力（Vds为600V），使其适用于中高功率开关电源及工业控制设备。
　　此外，KP8N60D-RTF/H采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在较高温度环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的+10V至+20V驱动电压，便于与各种驱动电路兼容。
　　该MOSFET还具有良好的短路耐受能力与热稳定性，有助于提升系统的可靠性和安全性。同时，在高频开关应用中表现出优异的开关特性，降低了开关损耗，适合用于DC-DC转换器、反激式电源、LED恒流驱动等电路中。
　　综合来看，KP8N60D-RTF/H是一款适用于中高功率电源应用的高性能MOSFET，具备良好的电气性能和稳定的机械结构，适合广泛应用于工业、消费电子以及照明控制等领域。

应用

KP8N60D-RTF/H广泛应用于各类电源管理电路中，例如开关电源（SMPS）、适配器、LED驱动电源、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电机驱动电路以及工业控制设备等。由于其高耐压、低导通电阻和良好的散热性能，特别适用于对效率和稳定性要求较高的电源系统。此外，它也可用于负载开关、电池管理系统（BMS）以及功率因数校正（PFC）电路中。