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KP3310SGA 发布时间 时间:2025/6/5 12:34:03 查看 阅读:9

KP3310SGA是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件采用TO-252表面贴装封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力,同时具备良好的热稳定性和快速开关性能。
  这款MOSFET特别适合在中小功率应用中使用,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:8.6A
  导通电阻:10mΩ
  栅极电荷:7nC
  开关速度:典型值19ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

KP3310SGA的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻(Rds(on)),可显著减少导通损耗,提升效率。
  2. 快速的开关速度,适用于高频开关应用。
  3. 高电流承载能力,支持高达8.6A的连续漏极电流。
  4. 小巧的TO-252封装设计,节省PCB空间。
  5. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
  6. 具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了系统可靠性。

应用

KP3310SGA适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
  3. 电池保护和负载开关。
  4. 电机控制和驱动。
  5. 消费类电子设备中的电源管理模块。
  6. 工业自动化和汽车电子中的信号切换与功率传输。

替代型号

IRFZ44N, FDP5800, AO3400

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