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KMR7X0001M-B511 发布时间 时间:2025/11/13 16:41:34 查看 阅读:8

KMR7X0001M-B511是三星(Samsung)推出的一款嵌入式闪存存储芯片,属于其eMMC(embedded MultiMediaCard)产品系列。该芯片主要面向中高端移动设备及嵌入式应用,集成了NAND闪存与控制器于一体,遵循eMMC 5.1接口标准,能够为智能手机、平板电脑、物联网设备、车载信息娱乐系统等提供稳定、高效的存储解决方案。KMR7X0001M-B511采用先进的封装技术,具备高可靠性与良好的温度适应性,适用于对存储性能和数据完整性要求较高的应用场景。该器件在出厂时已预烧录固件,用户无需额外配置控制器,简化了系统设计与开发流程,降低了整体集成难度。此外,它支持多种安全功能,如写保护、加密启动和安全擦除,增强了设备的数据安全性。作为三星KMR系列的一员,该型号体现了公司在3D NAND V-NAND技术上的积累,提升了耐久性和能效表现。

参数

制造商:Samsung
  产品系列:eMMC
  产品型号:KMR7X0001M-B511
  存储容量:64GB
  接口类型:eMMC 5.1
  工作电压:VCC:2.7V ~ 3.6V,VCCQ:1.7V ~ 1.95V
  数据传输速率:最高支持HS400模式,理论带宽可达400MB/s
  NAND类型:3D NAND V-NAND
  封装形式:BGA封装,典型尺寸为11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
  工作温度范围:-25°C 至 +85°C
  存储温度范围:-40°C 至 +85°C
  JEDEC标准兼容性:符合JESD84-B51规范
  可靠性:支持ECC纠错、坏块管理、磨损均衡、垃圾回收等高级管理功能

特性

KMR7X0001M-B511具备多项先进特性,确保其在复杂应用环境下的高性能与高可靠性。首先,该芯片基于三星自主研发的3D NAND V-NAND技术,通过垂直堆叠存储单元的方式显著提升存储密度和读写效率,同时降低单位比特的功耗,延长设备电池寿命。相比传统平面NAND,V-NAND具有更高的耐久性(P/E周期可达3000次以上)和更强的数据保持能力,尤其适合频繁写入的应用场景。
  其次,内置的智能控制器支持eMMC 5.1协议中的高速模式(HS400),可实现高达400MB/s的顺序读取速度,满足高清视频录制、大型应用加载和多任务处理的需求。控制器还集成了动态磨损均衡、静态磨损均衡、坏块管理和强大的ECC(错误校正码)机制,能够在长时间运行中有效防止数据丢失并延长使用寿命。
  此外,KMR7X0001M-B511支持多种电源管理模式,包括低功耗待机模式和快速唤醒功能,有助于优化系统整体能耗,特别适用于移动设备。其固件层面实现了TRIM命令支持,提升长期使用后的性能稳定性。安全性方面,芯片支持写保护、安全擦除、密码保护和可信启动功能,防止未经授权的访问或数据泄露,符合工业级和消费类产品的安全需求。
  该器件采用紧凑型BGA封装,节省PCB空间,便于小型化设计,并具备良好的抗振动和热稳定性,适用于车载、工业控制等严苛环境。最后,三星提供完整的测试与验证流程,确保每颗芯片在出厂前均达到严格的质量标准,支持AEC-Q100等可靠性认证(视具体版本而定),为客户提供长期供货保障和技术支持。

应用

KMR7X0001M-B511广泛应用于需要高容量、高可靠性和良好性能表现的嵌入式系统中。在智能手机和平板电脑领域,它作为主存储介质用于操作系统安装、应用程序存储和用户数据保存,凭借其高速读写能力和低延迟特性,显著提升用户体验。在物联网设备中,如智能家居网关、工业传感器节点和远程监控终端,该芯片提供了足够的本地存储空间以缓存采集数据,并支持断电恢复功能,确保数据完整性。
  在汽车电子方面,KMR7X0001M-B511可用于车载信息娱乐系统(IVI)、数字仪表盘和ADAS辅助驾驶模块,满足车规级温度范围和长期稳定运行的要求。其抗震性强、耐温范围宽的特点使其能在发动机舱附近或高温环境下可靠工作。此外,在工业自动化设备、医疗仪器、POS终端和教育类电子产品中,该eMMC器件也常被用作核心存储组件,替代传统的TF卡或SPI NAND,提高系统的集成度与可靠性。
  由于其标准化接口和即插即用特性,KMR7X0001M-B511还适用于各类开发板和嵌入式主板的设计,帮助工程师快速完成原型验证与产品量产。同时,三星提供的统一固件更新机制和生命周期管理服务,使客户能够更好地进行产品维护和升级,降低售后支持成本。

替代型号

KMR5U0001M-B411
  KMR7U0001M-B511
  KMR8X0001M-B611

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