电容值：8200 pF
　　容差：±2%
　　额定电压：450 V
　　温度系数：NPO（C0G）
　　封装尺寸：2225（5609公制）
　　端子类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C

KMH450VN82RM22X35T2电容器采用了NPO（C0G）温度系数陶瓷材料，确保了在各种温度条件下的电容稳定性。其容差为±2%，提供了高精度的电容值，适合对精度要求高的应用场合。此外，该电容器具有较高的额定电压（450V），适用于高压电路环境，具备良好的绝缘性能和耐压能力。其表面贴装封装设计使得安装简便，提高了生产效率，并且能够适应自动化装配流程。
　　这款电容器的结构设计使其在高频应用中表现出色，具有低损耗和高Q值，适用于射频（RF）和微波电路中的滤波和调谐功能。由于其高稳定性和低温度漂移特性，KMH450VN82RM22X35T2在精密模拟电路中也表现出色，可用于放大器、振荡器和滤波器等应用。此外，该电容器的高可靠性使其成为汽车电子、工业控制和航空航天等关键领域中的理想选择。
　　在机械性能方面，KMH450VN82RM22X35T2具备良好的抗振动和抗冲击能力，能够在严苛的物理环境中稳定工作。其封装尺寸为2225（5609公制），符合标准的SMD封装规范，便于在PCB上布局和焊接。该电容器还具有优异的耐湿性和耐腐蚀性，能够在高湿度环境下长期使用而不会影响性能。

该电容器常用于电源管理电路、射频（RF）模块、滤波器、去耦电路以及高精度模拟电路中。此外，它也适用于汽车电子系统、工业控制设备和航空航天应用中的高可靠性要求场合。

VJ2225Y82KXRMK00 , VJ2225Y82KGXRMK00