电容值：1200 pF
　　容差：±20%
　　额定电压：1800 VDC
　　介质材料：Class I（C0G/NP0）
　　封装尺寸：3525（公制）
　　温度系数：0 ppm/°C ±30 ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10000 MΩ Min
　　ESR（等效串联电阻）：低至几毫欧级别（具体值取决于频率）
　　结构：多层陶瓷

KMH180VN122M35X35T2 具备出色的电压稳定性和温度稳定性，能够在高温环境下保持优异的性能。由于采用了 Class I 介质材料（如 C0G/NP0），该电容器在宽温度范围内具有极低的电容漂移，适用于对精度要求极高的电路。此外，其高电压额定值（1800 VDC）使其能够应用于高压电路中，如开关电源、功率因数校正（PFC）电路、高压滤波器等。该器件的低 ESR 和低 ESL（等效串联电感）特性有助于减少高频噪声和纹波，提高系统效率。KMH 系列还具备良好的机械强度和耐焊热性，适合 SMT（表面贴装技术）工艺。
　　从可靠性角度来看，KMH180VN122M35X35T2 符合 AEC-Q200 汽车级标准，适用于汽车电子系统中的高压滤波、EMI 抑制和信号处理等关键应用。其优异的长期稳定性确保在复杂工作环境中不会出现显著的参数漂移，适用于要求高可靠性的航空航天、工业控制和医疗设备等领域。

KMH180VN122M35X35T2 主要用于以下类型的电子系统：开关电源（SMPS）中的高压滤波电容器、功率因数校正（PFC）电路中的去耦电容、逆变器和变频器中的直流链路滤波、汽车电子中的高压 DC-DC 转换器、LED 照明驱动电路中的 EMI 滤波、工业控制系统中的高压信号耦合与滤波、以及测试测量设备中的高精度滤波电路。此外，该电容器还可用于高频通信设备、雷达系统和医疗成像设备中的高压旁路与储能应用。

TDK C3225X5R2E102K230AB, Murata GRM32ER61C102KA121, AVX 08055C103KAT2A, Yageo CC0805KKX5R0J103