时间：2025/9/10 17:02:39
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KMG50VB4R7M5X11LL 是一种功率MOSFET晶体管，专为高效率和高性能的电源管理应用而设计。该器件采用先进的制造工艺和封装技术，具备出色的电气性能和热管理能力。它适用于广泛的电力电子设备，如开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制和工业自动化系统。
类型：功率MOSFET
漏极电流（Id）：50A
漏源电压（Vds）：470V
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.18Ω
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
功耗（Pd）：150W
漏源击穿电压（BVDSS）：470V
KMG50VB4R7M5X11LL 功率MOSFET具备出色的导通和开关性能，使其成为高效率设计的理想选择。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有优异的雪崩能量耐受能力，能够在高电压和高电流条件下稳定工作，增强了系统的可靠性。
该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的热管理性能，有助于在高功率应用中实现有效的散热。同时，其栅极结构设计优化了开关速度，降低了开关损耗，从而进一步提高了整体性能。
此外，KMG50VB4R7M5X11LL 还具备较强的抗短路能力和高温稳定性，适用于严苛的工作环境。其宽工作温度范围和高耐压特性使其在工业控制、电源转换和电机驱动等应用中表现出色。
KMG50VB4R7M5X11LL 主要应用于开关电源（SMPS）、逆变器、UPS系统、电机控制、工业自动化设备以及各种高功率电子系统。它适用于需要高效能、高可靠性和高耐压能力的电路设计。
KMG50VB4R7M5X11LL 的替代型号包括IXFH50N47P、IRFP470、STP55NF06、FDPF470和KMG50VB4R7M5X11L。
