类型：功率MOSFET模块
　　技术：碳化硅（SiC）
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　最大漏极电流（ID）：400A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.0mΩ
　　封装类型：双面散热模块（62mm x 130mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装材料：陶瓷绝缘
　　安装方式：螺钉安装
　　绝缘电压：3000Vrms
　　热阻（Rth）：0.15°C/W（典型值）

KMG400VB1R0M6X11LL 是一款基于碳化硅（SiC）的功率MOSFET模块，专为高功率密度和高效率应用设计。其核心优势在于采用了SiC半导体技术，相比传统硅基MOSFET，具有更低的开关损耗和导通损耗。该模块的导通电阻仅为1.0mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。此外，模块支持高达400A的连续漏极电流，适用于高电流负载的场景，如电动汽车的逆变器、充电系统以及工业电机驱动器。
　　KMG400VB1R0M6X11LL 采用双面散热结构，增强了散热性能，能够在高功率应用中保持稳定的运行温度。其封装尺寸为62mm x 130mm，符合主流功率模块的安装标准，便于集成到现有系统中。模块的绝缘电压高达3000Vrms，确保了在高压环境下的安全性和可靠性。此外，该模块的工作温度范围宽广，从-55°C到+175°C，适用于极端温度条件下的应用，如航空航天和工业自动化设备。
　　该模块还具备出色的短路耐受能力和高雪崩能量耐受性，使其在复杂工况下依然保持稳定。其热阻典型值为0.15°C/W，表明其具有优异的热管理能力，有助于延长模块的使用寿命并减少系统冷却需求。KMG400VB1R0M6X11LL 的封装材料采用陶瓷绝缘，具有良好的机械强度和长期稳定性，适合高可靠性要求的应用场景。

KMG400VB1R0M6X11LL 主要应用于需要高功率密度和高效能转换的领域，包括电动汽车（EV）的主驱逆变器、车载充电系统、充电桩、工业电机驱动器、太阳能逆变器、储能系统（ESS）以及不间断电源（UPS）。由于其高电流容量和优异的热管理性能，该模块也广泛用于轨道交通、智能电网和工业自动化等高可靠性要求的场合。

KMG400VB1R0M6X11L